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【E课堂】绝缘栅型场效应管之图解

鏃ユ湡;2019-06-15  鏉ユ簮锛毼粗  浣滆咃細admin

  增强型:VGS=0时,漏源之间没有导电沟道,在VDS作用下无iD。耗尽型:VGS=0时,漏源之间有导电沟道,在VDS作用下iD。

  在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极,半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。

  (1)VGS=0时,不管VDS极性如何,其中总有一个PN结反偏,所以不存在导电沟道。

  (2)VGS0时,在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场,排斥P区多子空穴而吸引少子电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通,形成导电沟道。

  (4)VGS0且VDS增大到一定值后,靠近漏极的沟道被夹断,形成夹断区。

  (1)N沟道耗尽型:制造时在栅极绝缘层中掺有大量的正离子,所以即使在VGS=0时,由于正离子的作用,两个N区之间存在导电沟道(类似结型

  (2)P沟道增强型:VGS=0时,ID=0开启电压小于零,所以只有当VGS0时管子才能工作。

  (3)P沟道耗尽型:制造时在栅极绝缘层中掺有大量的负离子,所以即使在VGS=0时,由于负离子的作用,两个P区之间存在导电沟道(类似结型

  (1)开启电压VT:在VDS为一固定数值时,能产生ID所需要的最小VGS值。(增强)

  (2)夹断电压VP:在VDS为一固定数值时,使ID对应一微小电流时的VGS值。(耗尽)

  (3)饱和漏极电流IDSS:在VGS=0时,管子发生预夹断时的漏极电流。(耗尽)

  (4)极间电容:漏源电容CDS约为0.1~1pF,栅源电容CGS和栅漏极电容CGD约为1~3pF。

  在转移特性曲线上,gm是曲线在某点上的斜率,也可由iD的表达式求导得出,单位为S或mS。


 
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