娆㈣繋鎮ㄧ櫥闄啺不湛3今日推荐号_今日安徽快3-官网|首页!     鏀惰棌鏈珯 璁句负棣栭〉 甯姪涓績 
绉鍙戠綉 鍙戝瀷 缇庡彂 绉鍙
棣栭〉 鈹  安徽快3今日推荐号 鈹  关于我们 鈹  产品布局 鈹  新闻媒体 鈹  项目欣赏
褰撳墠浣嶇疆锛主页 > 安徽快3今日推荐号 > 姝f枃
使用绝缘栅双极晶体管提高太阳能电池板的使用效率

鏃ユ湡;2019-07-10  鏉ユ簮锛毼粗  浣滆咃細admin

  板的能源用于直接为家用电器供电,为电池充电或直接向电网供电,以换取未来电费的信贷。这些应用需要交流电压,因此需要转换面板的直流电压以使其有用。

  将太阳能电池板输出转换为更实用的交流电压的一种流行且高效的技术是使用绝缘栅双极晶体管IGBT)的太阳能逆变器拓扑结构。 IGBT特别适合这种坚固的应用。

  本文介绍了一种使用IGBT的太阳能逆变器,并重点介绍了为了设计最有效的转换电路而需要考虑的组件的关键特性。还介绍了International Rectifier,Fairchild,Infineon和IXYS的IGBT产品示例,以帮助澄清问题。

  IGBT具有金属氧化物半导体(MOS)输入特性和压控双极器件的双极性输出特性。然而,因为IGBT本质上是双极器件,所以它可以处理比MOS场效应晶体管(MOSFET)更高的电流。图1显示了IGBT的基本类型及其等效电路的示意图。

  图1:使用完整的太阳能逆变器电路的典型实现桥式IGBT拓扑结构。 (图片由International Rectifier提供)

  与MOSFET和双极晶体管相比,IGBT具有一些关键优势。首先,除了优越的导通电流密度之外,由于电导率调制,IGBT具有非常低的导通电压降。这些因素使制造商能够以更低的成本制造具有更小芯片尺寸的器件。

  其次,由于输入MOS栅极结构,IGBT具有低驱动功率和简单的驱动电路。与诸如双极晶体管的电流控制器件相比,这些器件易于控制。第三,这些器件具有出色的正向和反向阻断功能。这两个特性鼓励设计人员选择IGBT用于高电流和高电压应用。

  第一代和第二代IGBT的一个缺点是开关速度比功率MOSFET慢(尽管开关速度仍然比双极器件快)。该缺点是IGBT的少数载流子结构(即,电子和空穴都对电流有贡献)的结果,由此集电极电流“拖尾”导致关断速度相对较慢。

  然而,工艺技术的进步已经解决了慢速开关速度,同时仍然保持相对较低的传导损耗。例如,虽然早期的IGBT需要2 ms才能关闭,但现代“超快”IGBT的反应速度要快得多。例如,现代沟槽IGBT可以具有40至75ns范围内的关断时间(取决于集电极电流(IC)和结温)。

  (高速开关使IGBT能够在MOSFET以前占主导地位的应用中竞争,例如,开关模式电源(SMPS)以100 kHz和更快的速度运行。之前,开关损耗将IGBT限制为运行在50左右的SMPS尽管由于工艺改进带来了性能改进,但IGBT仍然需要在关断时间(因此开关速度)和导通状态电压降(VCE(on))之间进行权衡。图2说明了这种关系。由于开关和传导损耗都会导致功耗(和效率),设计人员在为特定应用选择IGBT时需要考虑这种权衡。

  实现太阳能逆变电路的方法有多种,但典型的实施方式采用图3所示的全桥IGBT拓扑结构。在此电路中,太阳能电池板的输出连接到高侧和低侧IGBT,然后通过输出滤波器(由L1,L2和C1组成)产生单相正弦波形。

  为了证明为工作选择正确的IGBT的重要性,请考虑太阳能电池板的直流电压对电网有贡献的应用。在这种情况下,太阳能逆变器电路必须产生具有适当功率因数的高质量AC正弦电压波形,当其直接连接到电源时不会引起问题。

  一种方法是以高于20 kHz的频率对高端IGBT进行脉冲宽度调制,以产生电源连接所需的50或60 Hz输出,同时将相反的低端IGBT以50或60 Hz换向。设计人员面临的一个关键问题是如何选择IGBT以实现电路中最低的功耗,从而获得最高效的DC/AC转换。

  IGBT的总功耗是由开关损耗和传导损耗的综合造成的。在高开关速度下,前者胜过后者。

  在样品太阳能逆变器电路中,高端IGBT的开关频率为20 kHz,因此设计人员应考虑更快的开关产品。虽然这种IGBT比标准速度器件具有更高的传导损耗,但开关损耗更低,而不是补偿。国际整流器公司的标准平面IGBT(关断时间为700 ns)在此应用中功耗为23 W;但超快沟槽器件(40 ns)的功耗仅为7 W.相反,由于低端IGBT的开关频率为60 Hz,因此传导损耗远比开关损耗更重要。在这种情况下,更好的导电标准平面器件(VCE(on)为1.2 V)仅消耗6 W,而超快沟槽IGBT(1.6 V)消耗8 W.

  正如我们在上面的例子中已经看到的那样,International Rectifier提供各种各样的IGBT(见图4),并在其网站上提供了一个方便的IGBT选择工具。其他供应商具有相似的综合范围。

  英飞凌的TrenchStop IGBT包括IKW15N120T2,可处理高达1200 V的功率,功耗为235 W(25°C时)。该器件的典型VCE(on)为1.7 V(IC为15 A),关断时间约为362 ns。该公司建议该IGBT是一种坚固耐用的设备,适用于变频器和不间断电源等应用。

  和IXYS提供全面的IGBT,包括GenX3系列。该系列包括IXGH100N30C3,能够处理高达300 V的电压,功耗为460 W(25°C时)。该器件的典型VCEon为1.53 V(IC为100 A),关断时间约为160 ns。 IXYS声称GenX3系列是转换器,逆变器和交流电机速度控制等其他应用的理想选择。

  程介绍:《晶体管电路设计与仿真》视频教程一、学习课程的准备工作及必备工具工欲善其事必先利其器1、一本《晶体管电路设计(上

  表头的准确度等级为1级(即表头自身的灵敏度误差为±1%),水平放置,整流式仪表,绝缘强度试验电压为5....

  输入信号4MHz,我想得到输出幅度100V,4M的信号,想用运放+晶体管搭建或者MOS管,不知道可行不,急。 拜谢!!(之前本打算...

  国际市场研究机构Technavio日前发布研究报告称,2019-2023年全球太阳能电缆系统市场规模....

  该设施将拥有500MW的太阳能光伏发电和配置250MW/1000MWH的电池储能。

  电脉冲的产生不是由振荡电路产生,而应该是由MCU的PWM功能产生,通过设置PWM模块的寄储器,让MC....

  按照电路特性分类介绍了用Pspice分析电路的基本方法。一般来说,虚拟实验用的就是这些方法。有些电路....

  业内最受欢迎的适用于AEC-Q101高温应用的BAS16 / 21二极管和BC807 / 817晶体....

  1. 贴片晶体管应用贴片晶体管的基本特点是:具有放大、饱和与截止三种工作状态,且通过变换集电极、发射....

  关于光伏并网,我们已经介绍过很多了,但是,有时候如果是光伏或光伏电站在一个大电网中。研究时光伏只是作....

  继电器是一种电子控制器件,它具有控制系统(又称输入回路)和被控制系统(又称输出回路),通常应用于自动....

  据悉,总部位于英国的Lightsource BP是欧洲最大的太阳能开发商,日前宣布收购巴西开发商En....

  据悉,印度商务部预计将于本周对所谓的中国、越南和韩国钢铁产品在该国倾销造成的损失得出一个初步结论,印....

  太阳能层压机是每一个太阳电池组件生产厂家生产所必须的设备。随着太阳能光伏行业的发展,如何降低设备投资....

  近日,Nature封面发表一项重磅研究:哈佛大学开发出史上最轻的自主飞行机器人!这个蜜蜂机器人仅25....

  场效应管是场效应晶体管的简称,具有输入电阻高、噪声小、功耗低、安全工作区域宽、受温度影响小等优点,特....

  作者:德州仪器 (TI) Jason Tao/ Vieri Xue, MCU DMC&DPS SAE工作组 摘要 可再...

  ■ 恩智浦半导体 K. Werner,S. Theeuwen,J. de Boet,V. Bloem,W. Sneijers 高压LDMOS是高达3.8GHz的国防...

  开关型功率放大器(Switching Mode PA,SMPA),使电子器件工作于开关状态,常见的有....

  功率放大器主要是放大电流,这样才能推动低阻的扬声器发出声音。当然,这个例子是按音频实例讲的,若是射频....

  三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是....

  此标准固态显示器具有7.4毫米(0.29英寸)点阵字符和板载IC,带有数据存储器锁存器/解码器和LED驱动器,采用玻璃/陶瓷包。 HDSP-0983显示器采用环氧玻璃 - 陶瓷密封。该超量程设备显示“/ -1”和右手小数点,通常通过外部开关晶体管驱动。 特点 4 x 7点阵字符超出范围/ - 1 在整个温度范围内保证性能存储器锁存器/解码器/驱动器 TTL兼容用于发光的分类强度

  此标准固态显示器具有7.4毫米(0.29英寸)点阵字符和板载IC,带有数据存储器锁存器/解码器和LED驱动器,采用玻璃/陶瓷包。密封的HDSP-0783显示器采用焊接玻璃料密封。该超量程设备显示“/ -1”和右手小数点,通常通过外部开关晶体管驱动。 特点 4 x 7点阵字符超出范围/ - 1 温度保证性能存储器锁存器/解码器/驱动器 TTL兼容分类发光强度

  此标准固态显示器具有7.4毫米(0.29英寸)点阵字符和板载IC,带有数据存储器锁存器/解码器和LED驱动器,采用玻璃/陶瓷包。密封的HDSP-0883显示器采用焊接玻璃料密封。该超量程设备显示“/ -1”和右手小数点,通常通过外部开关晶体管驱动。 特点 4 x 7点阵字符超出范围/ - 1 温度保证性能存储器锁存器/解码器/驱动器 TTL兼容分类发光强度

  1、引言 随着科技的进步,半导体制造技术日新月异。微波晶体管的输出功率能力在个个频段都得到不断提高,在甚高频频段已有单管输...

  本书以PC486为主要背景,对32位微型计算机的系统结构、指令系统、汇编语言、存储器、中断与中断控制....

  就在不久前,市场上的绝大多数IC从本质上说,不是纯数字电路就是纯模拟电路。而如今,为了满足成本、尺寸、重量和功耗等方面的...

  “一带一路”沿线国家发展光伏发电,将有助于沿线国家摆脱传统发展路径,实现经济增长和高碳排放的脱钩。

  功率放大器设计的好坏直接影响着整个系统的性能。按照其工作状态一般可以分为A、B、C类,以及类似于开关....

  集成电路板是集成电路的载体,集成电路(integrated circuit,港台称之为积体电路)是一....

  全面放开经营性电力用户发用电计划,支持中小用户参与市场化交易,切实做好规划内清洁电源的发电保障工作。

  最新一期的《Nature》杂志封面上,刊登了一只直立形态的四扑翼微型机器人RoboBee X-Win....

  BC8XX系列SOT23中的45V NPN小信号晶体管三极管的数据手册免费下载

  本文档的主要内容详细介绍的是BC817和BC816及BC825与BC840 SOT23中的45V N....

  面对一个给定的晶体管电路,学会判断晶体管工作状态,并准确求解其静态,包括各极的静态电流、静态电压,是....

  为了应对灾难到来时电力短缺的问题,最常见的莫过于动能发电。然而在没有办法获得足够动能的地方呢?

  事实证明,有翅膀的微型机器人之所以不能完成蜜蜂能做的事情,原因有很多,比如偏航控制问题就已被证明很棘....

  难道是后面的滤波电感和电容没有做好?说明一下,我这个逆变器是学校电子设计大赛的,要求输出36V50W,AC滤波电容和电感选多...

  杨建国老师出的书籍资料 这里先分享《信号处理电路》和《晶体管》部分供大家学习一下。希望对大家有...

  本书系统介绍了电力电子领域广泛应用的各类功率半导体器件。由浅入深地介绍了器件的基本结构、物 理机理、....

  光伏并网逆变器是将光伏电池板提供的直流电通过MPPT算法得到最大功率点,并最终逆变转换成与电网电压同....

  LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)横向扩散金属氧化物半导体)是为900...

  随着芯片几何尺寸的进一步缩小,不仅芯片上的晶体管数量在增加,芯片上集成的各种功能数量也在迅速增加。对模拟到数字(A/D)混合...

  mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管....

  李彬随时关注太阳能路灯的每一个细微的变化,更孜孜以求、呕心沥血太阳能路灯电池的每一步发展!

  晶体硅材料是最主要的光伏材料,性质为带有金属光泽的灰黑色固体、熔点高(1410)、硬度大、有脆性、常....

  单晶硅也称硅单晶,是电子信息材料中最基础性材料,属半导体材料类。单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管....

  在米粒大的硅片上,已能集成16万个晶体管,由于硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一,对太阳能电池这样注....

  李剑铎表示煦达新能源给出了解决方案,采用集装箱式储能系统设计,组串分布式的架构加慢充慢放的控制策略。

  美国贸易代表办公室公布文件,经联邦贸易部门裁定,出口到美国的双面太阳能组件将不再受201条款的约束,....

  市场主要厂商都不愿错过这个不断增长的电力电子市场机遇。事实上,在过去三年里,我们已经看到多起重大并购....

  针对当前电网需要能输出高质量的交流电,且需具备较好的负载适应性及调压、调频等问题。设计了基于 STM....

  对于PNP型三极管,C、E极分别为其内部两个PN结的正极,B极为它们共同的负极,而对于NPN型三极管....

  明确需用的额定电压,或是电子元件能够承载的最高电压。额定电压越大,电子元件的成本就越高。按照实践证明....

  接通电源时,由于电容C3两端电压为零,场效应管VT处于截止状态,继电器KA释放,延时开始。同时电源E....

  MOS管是电压控制器件,具有输入阻抗高、噪声低的优点,被广泛应用在电子电路中,特别是具有上述要求前....

  太阳能充电控制器以太阳能极板为供电电源,以MSP430GR553单片机为控制和数据处理核心,负责完成....

  半导体的支持工艺和CPU的性能关系就大了,它关系到CPU内能塞进多少个晶体管,还有CPU所能达到的频....

  优点是不同公共点之间可带不同的交、直流负载,且电压也可不同,带负载电流可达2A/点;但继电器输出方式....

  此HEXFET功率MOSFET专门设计用于维持能量恢复和通过开关应用在等离子显示面板中。此MOSFE....

  这几年,虽然摩尔定律基本失效或者说越来越迟缓,但是在半导体工艺上,几大巨头却是杀得兴起。Intel终....

  在1965年,英特尔的联合创始人戈登·摩尔(Gordon Moore)观察到微芯片上每平方英寸的晶体....

  今天(6月15日),总投资投资额为140亿卢比(约合人民币13.9亿元)的合力泰印度工厂举行投产庆典....

  信息 BUB323Z是一款平面,单片,高压双极功率达林顿晶体管,内置有源齐纳二极管钳位电路。该器件专为未钳位,电感应用而设计,如电子点火,开关调节器和电机控制。 集成高压有源钳位 紧密钳位电压窗口(350 V至450 V) )保证在-40°C至+ 125°C温度范围内 在实时点火电路中100%测试夹紧能量能力 指定的高直流电流增益/低饱和电压全温度范围 设计保证始终在SOA中运行 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  信息 BU323Z是一款平面,单片,高压功率达林顿,内置有源齐纳钳位电路。该器件专为非钳位电感应用而设计,如电子点火,开关稳压器和电机控制。 集成高压有源钳位 紧钳位电压窗口(350 V至450 V) )保证在-40°C至+ 125°C温度范围内 在实时点火电路中100%测试夹紧能量能力 在全温度下指定的高直流电流增益/低饱和电压范围 设计保证始终在SOA中运行 提供塑料SOT-93 / TO-218型或TO-220封装 这些设备可用无铅封装。此处的规格适用于标准和无铅器件。有关具体的无铅可订购部件号,请访问我们的网站,或联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表。...

  信息该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗,同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 BSS138特别适合低压、低电流应用(如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器)以及其他开关应用中。 0.22 A, 50 V. R = 3.5 Ω @ V = 10 V. R = 6.0 Ω @ V = 4.5 V 高密度单元设计可实现极低的 R。 坚固而可靠。 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。...

  信息该 N 沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度 DMOS 技术生产。 这款产品专为最大限度地降低通态电阻并提供耐用、可靠的快速开关性能而设计。 BSS123 特别适合于小型伺服电动机控制、功率MOSFET栅极驱动器等低电压、低电流应用,以及其他开关应用。0.17 A, 100 V, R = 6 Ω @ V = 10 V0.17 A, 100 V, R = 10 Ω @ V = 4.5 V高密度单元设计可实现极低的 R坚固而可靠紧凑的工业标准 SOT-23 表面贴装封装...

  信息此NPN双极达林顿晶体管设计用于开关应用,如打印锤,继电器,电磁阀和灯驱动器。该器件采用SOT-223封装,专为中等功率表面贴装应用而设计。 SOT-223封装可使用波峰焊或回流焊进行焊接。形成的引线吸收焊接过程中的热应力,消除模具损坏的可能性 12 mm卷带和卷盘使用BSP52T1订购7英寸/ 1000单元卷轴使用BSP52T3订购13英寸/ 4000单位卷轴 PNP补充是BSP62T1 无铅封装可用 用于汽车和其他应用的S和NSV前缀需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图...

  信息BSP50 该器件设计用于在集电极电流达 500 mA 的情况下需要极高电流增益的应用。 采用工艺03设计。

  信息4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。 一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。 该器件提供标准塑封6引脚双列直插封装。高电压:MOC8204M, BV= 400 VH11D1M, BV= 300 VH11D3M, BV= 200 V安全和法规认证:UL1577,4170 VAC(1 分钟)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压

  信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)

  信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)

  信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)

  信息通用光电耦合器包含一个砷化镓红外发光二极管,用于驱动硅光敏晶体管,采用标准塑料六引脚双列封装。IF = 10 mA、VCE = 10 V 时的最小电流传输比: 4N27M 和 4N28M 为 10% 4N25M 和 4N26M 为 20% 4N35M、4N36M 和 4N37M 为 100%安全和法规认证: UL1577、4,170 VACRMS(1 分钟) DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压

  信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)

  信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。IF = 10 mA、VCE = 10 V 时的最小电流传输比: 4N27M 和 4N28M 为 10% 4N25M 和 4N26M 为 20% 4N35M、4N36M 和 4N37M 为 100%安全和法规认证: UL1577、4,170 VACRMS(1 分钟) DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压

  信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。AC-DC商用电源消费型设备工业级电机

  55GN01MA RF晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单MCP

  信息 55GN01MA是射频晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单MCP用于UHF宽带低噪声放大器应用。 高截止频率:fT = 5.5GHz典型 高增益:正向传输增益= 10dB典型值(f = 1GHz)

  55GN01FA RF晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单SSFP

  信息 55GN01FA是射频晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单SSFP,用于UHF宽带低噪声放大器应用。 高截止频率:fT = 5.5GHz(典型值) 高增益。前向传输增益= 19dB(典型值)[f = 400MHz] 超小型封装允许应用集小 无卤素合规。

  50A02CH 双极晶体管,-50V,-0.5A,低VCE(sat),PNP单

  信息 50A02CH是双极晶体管,-50V,-0.5A,低VCE(sat),PNP单用于低频通用放大器应用。 高集电极电流能力 低集电极至发射极饱和电压(电阻): RCE(sat)typ =210mΩ[IC = 0.5A,IB = 50mA] 低导通电阻(Ron) 无铅,无卤素且符合RoHS标准


 
上一篇:IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是新能源汽车最核心的技术之一   下一篇:晶体管教程要点及区别  
[鎵撳嵃鏂囩珷] [鍏抽棴绐楀彛]
 Google Adsense
 
 鐩稿叧鏂囩珷
·晶体管教程要点及区别
·使用绝缘栅双极晶体管
·IGBT(绝缘栅双极型晶
·绝缘栅型场效应管实用
·帮帮我!!!
·皮带紧边设计岗位竞聘
·皮带跑偏的原理及调整
·皮带紧边设计工作总结
·微量给粉机-自动给料
·如何降低蒸汽发生器的
·给粉机_百度百科
·彭州市 期待圆风门制
·五轴控制加工中心的加
·黔江区第五轴转台厂家
·震泽摄影培训联系方式
·沧州商务会议活动录像
·瑞萨发布两款带有集成
·IR推出600V绝缘栅双极
·Buck电源中绝缘栅场效
·PWM DCDC转换器绝缘栅
 鐑偣鏂囩珷
·给粉机_百度百科
·瑞萨发布两款带有集成
·哪有REIS机器人显示屏
·使用绝缘栅双极晶体管
·2019-2024年中国绝缘
·立式加工中心的两种不
·皮带紧边设计岗位竞聘
·沧州商务会议活动录像
·木筏求生 创造模式 第
·为什么汽车转弯后方向
·皮带张紧器缺陷 4007
·震泽摄影培训联系方式
·2019-2024年中国绝缘
·如何降低蒸汽发生器的
·皮带跑偏的原理及调整
·皮带紧边设计工作总结
·南通不锈钢国标大小头
·五轴控制加工中心的加
·皮带张紧器存缺陷 铃
·意法半导体推出先进的
棣栭〉 | 鍏充簬鎴戜滑 | 鑱旂郴鎴戜滑 | 骞垮憡鏈嶅姟 | 濯掍綋鎶ラ亾 | 娉曞緥澹版槑 | 鍙嬫儏閾炬帴銆 - 銆绔欑偣鍦板浘
Copyright © 2002-2019 DEDECMS. 织梦科技 版权所有 Power by DedeCms